Transistor a canale N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Caratteristiche: -. Carica: 49.3nC. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Controllare: Livello logico. Corrente di assorbimento massima: 36A. DRUCE CORRENTE: 36A. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 36A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 36A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRL540N. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Resistenza termica abitativa: 1.1K/W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tensione drain-source: 100V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42