Transistor a canale N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3290pF. Costo): 1270pF. Diodo Trr (min.): 56 ns. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 25uA. Id(imp): 400A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13