Transistor a canale N IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor a canale N IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
8.59€
5-14
7.95€
15-24
7.43€
25-49
6.95€
50+
6.30€
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Transistor a canale N IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Ic(T=100°C): 27A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2200pF. Collector Peak Current IP [A]: 200A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 49A. Corrente del collettore: 49A. Costo): 140pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 42 ns. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Ic(impulso): 84A. Marcatura del produttore: IRG4PC40FD. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 63 ns. Td(spento): 230 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 63 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35

Documentazione tecnica (PDF)
IRG4PC40FDPBF
38 parametri
Alloggiamento
TO-247
Custodia (standard JEDEC)
TO-247AC
Ic(T=100°C)
27A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247 ( AC )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2200pF
Collector Peak Current IP [A]
200A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
49A
Corrente del collettore
49A
Costo)
140pF
Diodo CE
Diodo Trr (min.)
42 ns
Diodo al germanio
no
Dissipazione massima Ptot [W]
160W
Famiglia di componenti
transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato
Funzione
Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz
Ic(impulso)
84A
Marcatura del produttore
IRG4PC40FD
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
160W
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
230 ns
RoHS
Td(acceso)
63 ns
Td(spento)
230 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
63 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
600V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
6V
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.85V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
3V
Tipo di canale
N
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
6V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier