Transistor a canale N IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 980pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 23A. Costo): 71pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: transistor MOSFET di potenza fino a 150 kHz. Ic(impulso): 92A. Marcatura sulla cassa: IRG 4BC30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 99 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 50. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35