Transistor a canale N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Tensione drain-source (Vds): 55V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1970pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 64A. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 64A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 64A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFZ48NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 130W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:47