Transistor a canale N IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

Transistor a canale N IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.29€
5-49
1.06€
50-99
0.89€
100+
0.81€
Quantità in magazzino: 11

Transistor a canale N IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1696pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 407pF. Diodo Trr (min.): 67 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (min): 25uA. Id(imp): 180A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 52 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:13

Documentazione tecnica (PDF)
IRFZ46NL
31 parametri
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
53A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
16.5m Ohms
Alloggiamento
TO-262 ( I2-PAK )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-262
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1696pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
407pF
Diodo Trr (min.)
67 ns
Funzione
Ultra Low On-Resistance
ID (min)
25uA
Id(imp)
180A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
120W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
52 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier