Transistor a canale N IRFZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 60V. Alloggiamento: TO-220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1470pF. Caratteristiche: -. Carica: 63nC. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. DRUCE CORRENTE: 49A. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 50A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 49A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFZ44NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Polarità: unipolari. Potenza: 94W. RDS su (max) @ id, vgs: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione drain-source: 55V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06