Transistor a canale N IRFU120N, TO251AA, IPAK. Alloggiamento: TO251AA, IPAK. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 16.7nC. DRUCE CORRENTE: 9.1A. Polarità: unipolari. Potenza: 39W. Resistenza termica abitativa: 3.2K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:39