Transistor a canale N IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 1000uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Costo): 178pF. Diodo Trr (min.): 370 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 250uA. Id(imp): 40A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Samsung. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11