Transistor a canale N IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5.8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Samsung. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11