Transistor a canale N IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 27A. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45