Transistor a canale N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2330pF. Costo): 460pF. Diodo Trr (min.): 29 ns. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, impedenza di gate ultra bassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 340A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45