Transistor a canale N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor a canale N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.53€
5-24
1.31€
25-49
1.16€
50-99
1.05€
100+
0.90€
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Esaurito

Transistor a canale N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2030pF. Costo): 470pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. ID (min): 20uA. Id(imp): 280A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

IRFR3505
31 parametri
ID (T=100°C)
49A
ID (T=25°C)
71A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.011 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2030pF
Costo)
470pF
Diodo Trr (min.)
70 ns
Funzione
Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida
ID (min)
20uA
Id(imp)
280A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
140W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(acceso)
13 ns
Td(spento)
43 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier