Transistor a canale N IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V

Transistor a canale N IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.26€
5-49
1.04€
50-99
0.88€
100+
0.80€
Quantità in magazzino: 57

Transistor a canale N IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (massimo): 3.1A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR320
14 parametri
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
3.1A
Idss (massimo)
3.1A
Rds sulla resistenza attiva
1.8 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaggio Vds(max)
400V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
Transistor MOSFET N
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Quantità per scatola
1
Tecnologia
HEXFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
International Rectifier