Transistor a canale N IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3100pF. Costo): 800pF. Diodo Trr (min.): 650 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 100uA. Id(imp): 31A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 120ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45