Transistor a canale N IRFP4668, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Ids: 0.1mA. Idss (massimo): 130A. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 520A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 520W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45