Transistor a canale N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V

Transistor a canale N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V

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Transistor a canale N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V. Alloggiamento: TO247. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 500V. Tensione drain-source (Vds): 500V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 20A. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 20A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 18.4A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFP460PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 250W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. RoHS: sì. Serie: IRFP. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione gate/source Vgs max: -30V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP460PBF
29 parametri
Alloggiamento
TO247
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
500V
Tensione drain-source (Vds)
500V
Tensione drain-source Uds [V]
500V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 12A
Capacità del gate Ciss [pF]
4200pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di assorbimento massima
20A
Dissipazione massima Ptot [W]
280W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
20A
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
18.4A
Marcatura del produttore
IRFP460PBF
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
220W
Polarità
MOSFET N
Potenza
250W
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
110 ns
RoHS
Serie
IRFP
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
18 ns
Tensione di azionamento
10V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Tensione gate/source Vgs max
-30V
Tipo di canale
N
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)