Transistor a canale N IRFP450LCPBF, TO-247, 500V

Transistor a canale N IRFP450LCPBF, TO-247, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
5.33€
10+
4.00€
Quantità in magazzino: 63

Transistor a canale N IRFP450LCPBF, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Capacità del gate Ciss [pF]: 2200pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 14A. Marcatura del produttore: IRFP450LCPBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:22

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP450LCPBF
16 parametri
Alloggiamento
TO-247
Tensione drain-source Uds [V]
500V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 8.4A
Capacità del gate Ciss [pF]
2200pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
190W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
14A
Marcatura del produttore
IRFP450LCPBF
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
30 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
14 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)