Transistor a canale N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

Transistor a canale N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

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Transistor a canale N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.049 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7370pF. Costo): 520pF. Diodo Trr (min.): 300 ns. ID (min): 5uA. Id(imp): 190A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 430W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Idm--190Ap.. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP4242
29 parametri
ID (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
46A
Idss (massimo)
150uA
Rds sulla resistenza attiva
0.049 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
300V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7370pF
Costo)
520pF
Diodo Trr (min.)
300 ns
ID (min)
5uA
Id(imp)
190A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
430W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Idm--190Ap.
Tecnologia
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatura di funzionamento
-40...+175°C
Temperatura
+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier