Transistor a canale N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor a canale N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.18€
5-24
2.70€
25-49
2.35€
50-74
2.10€
75+
1.83€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 11

Transistor a canale N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3000pF. Costo): 640pF. Diodo Trr (min.): 210 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 180A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 58 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP3710
28 parametri
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.026 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3000pF
Costo)
640pF
Diodo Trr (min.)
210 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
180A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
58 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

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