Transistor a canale N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Transistor a canale N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.44€
5-9
3.90€
10-24
3.54€
25-49
3.28€
50+
2.92€
Quantità in magazzino: 19

Transistor a canale N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2600pF. Costo): 660pF. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 87 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza HEXFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP350
26 parametri
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
16A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.3 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2600pF
Costo)
660pF
Funzione
Transistor MOSFET N
ID (min)
25uA
Pd (dissipazione di potenza, massima)
190W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
16 ns
Td(spento)
87 ns
Tecnologia
MOSFET di potenza HEXFET
Temperatura di funzionamento
-50...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier