Transistor a canale N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.6m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 13000pF. Costo): 2100pF. Diodo Trr (min.): 140 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 870A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 470W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 23 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51