Transistor a canale N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V

Transistor a canale N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V

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Transistor a canale N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source (Vds): 200V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Capacità del gate Ciss [pF]: 4057pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 46A. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 50A. Marcatura del produttore: IRFP260NPBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 280W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP260NPBF
21 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Tensione drain-source (Vds)
200V
Tensione drain-source Uds [V]
200V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 28A
Capacità del gate Ciss [pF]
4057pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente di assorbimento massima
46A
Dissipazione massima Ptot [W]
300W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
50A
Marcatura del produttore
IRFP260NPBF
Numero di terminali
3
Potenza
280W
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
55 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
17 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
International Rectifier