Transistor a canale N IRFP250, TO247, TO247AC. Alloggiamento: TO247, TO247AC. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 82nC, 123nC. Condizionamento: tubus. DRUCE CORRENTE: 30A. Polarità: unipolari. Potenza: 214W. Resistenza termica abitativa: 700mK/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 02/01/2026, 01:54