Transistor a canale N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V. Alloggiamento: TO247. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 200V. Tensione drain-source (Vds): 200V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Caratteristiche: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente di assorbimento massima: 20A. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 20A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 20A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRFP240PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 150W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38