Transistor a canale N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor a canale N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.23€
5-24
4.72€
25-49
4.34€
50-99
4.00€
100+
3.50€
Quantità in magazzino: 45

Transistor a canale N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0042 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5600pF. Costo): 1310pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. ID (min): 25uA. Id(imp): 640A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Potenza: 310W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 140 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP1405PBF
29 parametri
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
160A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0042 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
55V
C(in)
5600pF
Costo)
1310pF
Diodo Trr (min.)
70 ns
Funzione
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
ID (min)
25uA
Id(imp)
640A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
310W
Potenza
310W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
140 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay