Transistor a canale N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V
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Transistor a canale N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4000pF. Carica: 113.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 1300pF. DRUCE CORRENTE: 98A. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 390A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1K/W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 43 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51