Transistor a canale N IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. C(in): 660pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 660pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 230pF. Diodo Trr (min.): 55 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 3.7A. Id(imp): 30A. Marcatura del produttore: FL4105. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 7.1 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.1 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51