Transistor a canale N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL024N

Transistor a canale N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL024N. Transistor a canale N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 400pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 11.2A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRFL024NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 22.2 ns. Td(acceso): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 11:25.