Transistor a canale N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V

Transistor a canale N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1+
2.22€
Quantità in magazzino: 45

Transistor a canale N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V. Alloggiamento: ITO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 37W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 7.2A. Marcatura del produttore: IRFI520GPBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFI520GPBF
16 parametri
Alloggiamento
ITO-220AB
Tensione drain-source Uds [V]
100V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 4.3A
Capacità del gate Ciss [pF]
360pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
37W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
7.2A
Marcatura del produttore
IRFI520GPBF
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
19 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
8.8 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)