Transistor a canale N IRFD220, DIP4. Alloggiamento: DIP4. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 14nC. DRUCE CORRENTE: 0.5A. 800mA. Polarità: unipolari. Potenza: 1W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 200V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:39