Transistor a canale N IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 310pF. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: td(on) 10ns, td(off) 13ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 14A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43