Transistor a canale N IRFBG30, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 980pF. Costo): 140pF. Diodo Trr (min.): 410 ns. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 100uA. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 89 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43