Transistor a canale N IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 490pF. Costo): 55pF. Diodo Trr (min.): 350 ns. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 100uA. Id(imp): 6.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 54W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 56 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43