Transistor a canale N IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 8.5A. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43