Transistor a canale N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1400pF. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 530 ns. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 25uA. Id(imp): 37A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: commutazione ad alta velocità. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43