Transistor a canale N IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 40V. Rds sulla resistenza attiva: 0.002 Ohms. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 90nC. Confezione: tubus. Corrente di assorbimento massima: 172A/120A. DRUCE CORRENTE: 208A. Polarità: unipolari. Potenza: 208W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 40V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22