Transistor a canale N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Transistor a canale N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.18€
5-24
1.93€
25-49
1.77€
50-99
1.65€
100+
1.47€
Quantità in magazzino: 74

Transistor a canale N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7330pF. Costo): 1095pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC. ID (min): 1uA. Id(imp): 1000A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 78 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43

IRFB7437
29 parametri
ID (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
250A
Idss (massimo)
150uA
Rds sulla resistenza attiva
1.5M Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
40V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7330pF
Costo)
1095pF
Diodo Trr (min.)
30 ns
Funzione
Applicazioni di azionamento di motori BLDC, circuiti alimentati a batteria, convertitori DC/DC e AC/DC
ID (min)
1uA
Id(imp)
1000A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
230W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
RoHS
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
78 ns
Tecnologia
StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.9V
Vgs(esimo) min.
2.2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies