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Transistor a canale N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB5615PBF

Transistor a canale N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB5615PBF
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Transistor a canale N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB5615PBF. Transistor a canale N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 1750pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: per applicazioni di amplificatori audio in classe D. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 140A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRFB5615PbF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 144W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 17.2ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET audio digitale. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 09/06/2025, 08:25.

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