Transistor a canale N IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.032 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2770pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 590pF. Diodo Trr (min.): 140 ns. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza, Display al Plasma. ID (min): 25uA. Id(imp): 230A. Marcatura sulla cassa: FB52N15D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43