Transistor a canale N IRFB3607PBF, TO220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.12€
5-9
1.33€
10-19
1.18€
20-49
1.09€
50+
1.02€
| Quantità in magazzino: 10 |
Transistor a canale N IRFB3607PBF, TO220AB. Alloggiamento: TO220AB. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 56nC. Confezione: tubus. DRUCE CORRENTE: 80A. Polarità: unipolari. Potenza: 140W. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 75V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 01/01/2026, 22:06
IRFB3607PBF
13 parametri
Alloggiamento
TO220AB
migliorato
Assemblaggio/installazione
THT
Carica
56nC
Confezione
tubus
DRUCE CORRENTE
80A
Polarità
unipolari
Potenza
140W
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
75V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies