Transistor a canale N IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.082 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2370pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 390pF. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. ID (min): 25uA. Id(imp): 124A. Marcatura sulla cassa: FB32N20D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43