Transistor a canale N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 760pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 12 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 88A. Marcatura sulla cassa: IRF8707G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43