Transistor a canale N IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Carica: 63nC. Condizionamento: tubus. Costo): 310pF. DRUCE CORRENTE: 8A, 5.1A. Diodo Trr (min.): 460 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 32A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Polarità: unipolari. Potenza: 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 49 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43