Transistor a canale N IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Diodo Trr (min.): 260 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 33 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43