Transistor a canale N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1210pF. Carica: 9.5nC. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 270pF. DRUCE CORRENTE: 13A. Diodo Trr (min.): 24 ns. Funzione: Impedenza di gate ultrabassa. ID (min): 1uA. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 10M Ohms. Resistenza termica: 50K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 8.7 ns. Td(spento): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: 20V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 95. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43