Transistor a canale N IRF740SPBF, D²-PAK, TO-263, 400V

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Transistor a canale N IRF740SPBF, D²-PAK, TO-263, 400V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 10A. Marcatura del produttore: IRF740SPBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRF740SPBF
17 parametri
Alloggiamento
D²-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-263
Tensione drain-source Uds [V]
400V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.55 Ohms @ 6A
Capacità del gate Ciss [pF]
1400pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
125W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
10A
Marcatura del produttore
IRF740SPBF
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
50 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
14 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4 v
Prodotto originale del produttore
Vishay (ir)