Transistor a canale N IRF7389PBF, SO8, 30V/-30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 650/710pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 5.9A/-4.2A. Marcatura del produttore: F7389. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/34 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:45