Transistor a canale N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Capacità del gate Ciss [pF]: 740/690pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 4.7A/-3.4A. Marcatura del produttore: F7343. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48/64 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45