Transistor a canale N IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Alloggiamento: SO8. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Caratteristiche: -. Condizionamento: tubo di plastica. Funzione: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 4.7A. Informazioni: -. MSL: -. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Polarità: MOSFET N. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di azionamento: -. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: SMD. Unità di condizionamento: 95. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43